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迈为股份:公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM(高带宽存储器HBM)工艺

2025-12-1 09:12| 发布者: skyisme808| 查看: 4

迈为股份:公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM(高带宽存储器HBM)工艺
迈为股份在互动平台表示,公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM(高带宽存储器HBM)工艺。公司刻蚀和薄膜沉积设备已广泛应用于存储芯片、逻辑芯片制造领域。

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