报道：三星与英伟达加速研发下一代NAND闪存
韩国首尔经济日报援引不具名行业官员消息称，三星电子正与英伟达合作，加速开发下一代NAND闪存芯片。 来自三星半导体研究所、英伟达以及佐治亚理工学院（Georgia Tech）的联合研究团队开发了一种“物理信息神经算子”（Physics Informed Neural Operator）模型。 该模型能够分析铁电体（Ferroelectric）基NAND设备的性能，其分析速度比现有模型快10,000倍以上。相关研究成果已经公布。 基于这些研究发现，三星正与英伟达就铁电NAND的开发与商业化展开合作。文章来源于网络，若侵犯了您的合法权益，请来信通知我们，我们会及时删除，给您带来的不便，我们深表歉意。 |
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