我国成功研制出三维多层片上电容，可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片
从湖北江城实验室了解到，该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。（上证报）文章来源于网络，若侵犯了您的合法权益，请来信通知我们，我们会及时删除，给您带来的不便，我们深表歉意。 |
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